เปิดตัวเทคโนโลยี 3D V-NAND Memory ชิปเก็บข้อมูลรุ่นใหม่ ที่จะทำให้สมาร์ทโฟน มีความจุตั้งแต่ 128 GB จนถึง 1 TB

[8-สิงหาคม-2556] ล่าสุดทาง ซัมซุงเองได้มีการเปิดตัวชิปเก็บข้อมูลแบบ Flash Memory รุ่นใหม่ที่ใช้เทคโนโลยี 3D V-NAND Memory ซึ่งเทคโนโลยีดังกล่าว จะช่วยให้ชิปเก็บข้อมูล มีความจุตั้งแต่ 128 GB จนถึง 1 TB กันเลยทีเดียว ซึ่งเรียกได้ว่าในอนาคตนั้น ผู้ใช้สมาร์ทโฟนอาจจะบอกลา SD Card ภายนอกกันได้เลย ซึ่งนอกจากชิปดังกล่าวจะเพิ่มความจุได้แล้ว ยังมีการปรับปรุงประสิทธิภาพ ในการอ่าน และ เขียนข้อมูล ให้มีความรวดเร็วมากยิ่งขึ้นอีกด้วย และไม่แน่ว่าตั้งแต่ปี 2014 เป็นต้นไป เราอาจจะได้เห็นสมาร์ทโฟน ที่มีความจุขั้นต่ำที่ 128 GB ก็เป็นได้ครับ

---------------------------------------
รายละเอียดเพิ่มเติม : talkandroid.com

Update : 26/03/2015

Samsung Memory